在芯片封裝測(cè)試流程中，晶圓減薄和晶圓切割工藝需要測(cè)量晶圓膜厚、粗糙度、平整度（翹曲），晶圓切割槽深、槽寬、崩邊形貌等參數(shù)。

中圖儀器SuperViewW1光學(xué)表面3d輪廓測(cè)量?jī)x針對(duì)芯片封裝測(cè)試流程的測(cè)量需求，X/Y方向標(biāo)準(zhǔn)行程為140*100mm，滿足減薄后晶圓表面大范圍多區(qū)域的粗糙度自動(dòng)化檢測(cè)、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺(tái)階高等微納米級(jí)別精度的測(cè)量。而SuperViewW1-Pro 型號(hào)增大了測(cè)量范圍，可覆蓋8英寸及以下晶圓，定制版真空吸附盤，穩(wěn)定固定Wafer；氣浮隔振+殼體分離式設(shè)計(jì)，隔離地面震動(dòng)與噪聲干擾。

技術(shù)參數(shù)（部分）

Z向分辨率：0.1nm

橫向分辨率(0.5λ/NA)：100X~2.5X：0.5um~3.7um

粗糙度RMS重復(fù)性：0.1nm

表面形貌重復(fù)性：0.1nm

臺(tái)階測(cè)量:重復(fù)性：0.1% 1σ；準(zhǔn)確度：0.75%

注釋：更多詳細(xì)參數(shù)，可聯(lián)系我們獲取。

光學(xué)表面3D輪廓儀具有的測(cè)量晶圓翹曲度功能，非常適合晶圓，太陽(yáng)能電池和玻璃面板的翹曲度測(cè)量，應(yīng)變測(cè)量以及表面形貌測(cè)量。接觸式和光學(xué)三維輪廓儀的結(jié)合，既可以用于科學(xué)研究，也可以用于工業(yè)產(chǎn)品的檢測(cè)。

對(duì)wafer減薄后無圖晶圓粗糙度測(cè)量：

封裝制程中對(duì)Wafer的切割：

對(duì)Die的輪廓分析及蝕刻深度測(cè)量：

結(jié)果組成

1、三維表面結(jié)構(gòu)：粗糙度，波紋度，表面結(jié)構(gòu)，缺陷分析，晶粒分析等；

2、二維圖像分析：距離，半徑，斜坡，格子圖，輪廓線等；

3、表界面測(cè)量：透明表面形貌，薄膜厚度，透明薄膜下的表面；

4、薄膜和厚膜的臺(tái)階高度測(cè)量；

5、劃痕形貌，摩擦磨損深度、寬度和體積定量測(cè)量；

6、微電子表面分析和MEMS表征。

中圖儀器光學(xué)表面3d輪廓測(cè)量?jī)x以白光干涉技術(shù)為原理，能夠以優(yōu)于納米級(jí)的分辨率，非接觸測(cè)量樣品表面形貌的光學(xué)測(cè)量?jī)x器，用于表面形貌紋理，微觀結(jié)構(gòu)分析，用于測(cè)試各類表面并自動(dòng)聚焦測(cè)量工件獲取2D，3D表面粗糙度、輪廓等一百余項(xiàng)參數(shù)，廣泛應(yīng)用于光學(xué)，半導(dǎo)體，材料，精密機(jī)械等領(lǐng)域。